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    • [广东]4803 mos管sop-8双P沟道高级功率 MOSFET场

      4803 mos管sop-8双P沟道高级功率 MOSFET场效应管 4803mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON),具有低R DS(on)@V GS = -5V,5V逻辑电平控制,双P沟道SOP8封装,超过最大额定值的应力可能会损坏设备,最大额定值仅为压力等级,长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。  骊微电子4803mos管该设备适合用作...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:46

    • [广东]4803 MOSFET管双P沟道高级功率MOS晶体管

      4803 MOSFET管双P沟道高级功率MOS晶体管 4803mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON),具有低R DS(on)@V GS = -5V,5V逻辑电平控制,双P沟道SOP8封装,超过最大额定值的应力可能会损坏设备,最大额定值仅为压力等级,长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。 4803mos管该设备适合用作...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:45

    • [广东]4842 mos管sop-8场效应管 30v 28a晶体管

      4842 mos管sop-8场效应管 30v 28a晶体管 4842采用DIP8脚封装,典型输出功率190-265V为12W-17W ,85-265V为10W-14W。该电路待机功耗低,启动电流低。在待机模式下,电路进入打嗝模式,从而有效地降低电路的待机功耗。电路的开关频率为67KHz,抖动的振荡频率,可以获得较低的EMI。内置15ms软启动电路,可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。电路内部集成了各种异...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:43

    • [广东]4842mos管_4842mos管价格_4842mos管批发

      4842mos管_4842mos管价格_4842mos管批发 4842是一款常见的金氧半场效晶体管(MOSFET),广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。最大耗散功率为2000(mW)。 4842mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。 并快速切换速度和改善转移有效。 这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。 ...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:42

    • [广东]4953 mos管PDF场效应管sop8资料双P沟道增强型M

      4953 mos管PDF场效应管sop8资料双P沟道增强型MOSFET 4953 mos管双P沟道MOSFET单P沟道MOSFET 4953内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON),适合用LED显示屏,LED显示器驱动,也可用来做负载开关或PWM开关应用领域  LED显示屏,LED显示器等  负载开关或者PWM开关。 4953 SOP-8:特点:耐用性和可靠性极强 ...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:41

    • [广东]MBT3946DW1T1G货源 PDF 芯片资料 报价 |

      MBT3946DW1T1G货源 PDF 芯片资料 报价 | MBT3946DW1 产品型号:MBT3946DW1T1类型:双晶体管集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):250封装/温度(℃)SOT-363晶体管. •h FE,100-30...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:39

    • [广东]9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管

      9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管 9926mos管是性能很高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷,9926mos管符合RoHS和绿色产品要求,并获得全面的功能可靠性认证。 9926mos管先进的高单元密度沟槽技术z超低栅极电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用,双N沟道场效应管,V...

      [广东-电子元器件] 发布者:杜小姐  发布时间:2021-03-01 16:43:37

    • [广东]VD8N60L TO220F 7.4A 600V 1R

      广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封装测试、品质控制技术团队,封测基地拥有先进的生产设备和生产管理体系,并率...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:12:01

    • [广东]VD5N60L TO220F

      广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封装测试、品质控制技术团队,封测基地拥有先进的生产设备和生产管理体系,并率...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:10:25

    • [广东]VD4N60L TO252

      广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封装测试、品质控制技术团队,封测基地拥有先进的生产设备和生产管理体系,并率...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:09:47

    • [广东]VD4N60L TO251

      VD4N60L TO251 4.5A 600V 2.2R 大芯片2.78×3.42 广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:09:13

    • [广东]供应VD2N60L-TN3-R TO252

      广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封装测试、品质控制技术团队,封测基地拥有先进的生产设备和生产管理体系,并率...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:07:43

    • [广东]VD2N60L TO251

      VD2N60L TO251 2A 600V 4.4R 广州扬诚半导体科技有限公司成立于2008年;前身为广州迪龙电子有限公司/广州市芯禾半导体有限公司/广州市力原电子厂;随着业务扩大,公司易址后合并改名“扬诚半导体”;。 不断的市场需求和丰富的技术经验下,我们在MOSFET领域开拓了自己的品牌iksemicon,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封...

      [广东-电子元器件] 发布者:朱先生  发布时间:2013-11-28 17:06:52

    • [广东]秦皇岛哪有卖假烟,批发中高档假烟,假烟批发

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      [广东-电子元器件] 发布者:梁生  发布时间:2013-06-19 02:03:52